| 型号/品牌 | 描述/参数 | 库存 | 价格梯度 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor
|
4
批次 :
最小包 :
1
起订量 :
1
增量 :
1
|
1:
￥426.4846
10:
￥380.0303
25:
￥357.419
50:
￥345.4523
100:
￥333.576
250:
￥321.6206
|
合计：
￥426.480
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor
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6
批次 :
最小包 :
1
起订量 :
1
增量 :
1
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合计：
￥554.220
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 26 GHz Medium Power Packaged GaAs FET
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100
批次 :
最小包 :
1
起订量 :
1
增量 :
1
|
1:
￥469.0404
10:
￥440.1576
20:
￥423.7274
50:
￥421.1962
100:
￥421.1962
200:
￥393.5338
|
合计：
￥469.040
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6E 25W50V NI360L
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50
批次 :
最小包 :
1
起订量 :
1
增量 :
1
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合计：
￥631.600
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 65V LDMOS 1800W CW 1.8-400MHz
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39
批次 :
最小包 :
1
起订量 :
1
增量 :
1
|
1:
￥1,406.1494
10:
￥1,402.0814
50:
￥1,402.0814
|
合计：
￥1406.150
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
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600
批次 :
最小包 :
1
起订量 :
1
增量 :
1
|
合计：
￥87.710
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-500MHz 2Watts 28Volt Gain 16dB
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151
批次 :
最小包 :
1
起订量 :
1
增量 :
1
|
1:
￥345.215
10:
￥306.8063
200:
￥268.2394
|
合计：
￥345.220
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER RF Transistor
|
0
批次 :
最小包 :
1
起订量 :
1
增量 :
1
|
1:
￥71.0318
10:
￥64.1953
25:
￥61.1782
100:
￥53.1326
250:
￥50.7709
500:
￥46.2961
1000:
￥40.6009
3000:
￥40.5218
|
合计：
￥71.030
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 75 W, 28 V, 3.1 to 3.6 GHz RF power LDMOS transistor
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30
批次 :
最小包 :
1
起订量 :
1
增量 :
1
|
合计：
￥1061.010
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 180 W, 28 V, 1.3 to 1.6 GHz RF power LDMOS transistor
|
30
批次 :
最小包 :
1
起订量 :
1
增量 :
1
|
1:
￥1,202.5008
10:
￥1,016.1864
25:
￥984.456
120:
￥984.456
|
合计：
￥1202.500
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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7
批次 :
最小包 :
1
起订量 :
1
增量 :
1
|
合计：
￥425.110
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|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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41
批次 :
最小包 :
1
起订量 :
1
增量 :
1
|
合计：
￥353.590
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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26
批次 :
最小包 :
1
起订量 :
1
增量 :
1
|
1:
￥365.1482
10:
￥359.8598
50:
￥359.8598
|
合计：
￥365.150
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 10W PULSE PLD1.5
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7
批次 :
最小包 :
1
起订量 :
1
增量 :
1
|
1:
￥778.2875
10:
￥710.6005
20:
￥677.887
50:
￥662.9258
100:
￥642.744
|
合计：
￥778.290
|
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch 65 Volt 5 Amp
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2
批次 :
最小包 :
1
起订量 :
1
增量 :
1
|
合计：
￥771.450
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF POWER TRANS
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89
批次 :
最小包 :
1
起订量 :
1
增量 :
1
|
合计：
￥97.070
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|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 500 V 300 W 150 MHz T3A
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12
批次 :
最小包 :
1
起订量 :
1
增量 :
1
|
合计：
￥1223.730
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 500 V 100 W 100 MHz TO-247 Common Source
|
14
批次 :
最小包 :
1
起订量 :
1
增量 :
1
|
1:
￥336.9886
100:
￥285.2459
|
合计：
￥336.990
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Wideband Airfast RF Power LDMOS Transistor 136-941 MHz, 6.0 W, 7.5 V
|
775
批次 :
最小包 :
1
起订量 :
1
增量 :
1
|
1:
￥19.0405
10:
￥16.5206
100:
￥14.3962
250:
￥13.673
500:
￥12.2831
1000:
￥9.5146
|
合计：
￥19.040
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Wideband RF Power LDMOS Transistor, 100 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
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456
批次 :
最小包 :
1
起订量 :
1
增量 :
1
|
1:
￥206.4962
10:
￥159.3865
25:
￥145.0694
50:
￥144.8999
100:
￥128.9556
500:
￥120.9778
|
合计：
￥206.500
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier, High Power Amplifier, and Oscillator Applications
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20
批次 :
最小包 :
1
起订量 :
1
增量 :
1
|
1:
￥313.3942
250:
￥290.2066
|
合计：
￥313.390
|
||
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier, High Power Amplifier, and Oscillator Applications
|
20
批次 :
最小包 :
1
起订量 :
1
增量 :
1
|
合计：
￥259.130
|
||
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier and Oscillator Applications
|
20
批次 :
最小包 :
1
起订量 :
1
增量 :
1
|
合计：
￥183.950
|
||
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier and Oscillator Applications
|
20
批次 :
最小包 :
1
起订量 :
1
增量 :
1
|
合计：
￥134.090
|
||
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Narrow and Broad Band Linear Amplifier and Oscillator Applications
|
20
批次 :
最小包 :
1
起订量 :
1
增量 :
1
|
合计：
￥567.970
|
||
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Low Noise pHEMT Devices
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100
批次 :
最小包 :
1
起订量 :
1
增量 :
1
|
合计：
￥277.600
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Low Noise pHEMT Devices
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90
批次 :
最小包 :
1
起订量 :
1
增量 :
1
|
合计：
￥273.700
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Transistor,150W,<200MHz,28V,TMOS
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116
批次 :
最小包 :
1
起订量 :
1
增量 :
1
|
合计：
￥574.730
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 100-200MHz 45Watts 28Volt Gain 17dB
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321
批次 :
最小包 :
1
起订量 :
1
增量 :
1
|
合计：
￥377.590
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-500MHz 20Watts 28Volt Gain 13.5dB
|
99
批次 :
最小包 :
1
起订量 :
1
增量 :
1
|
合计：
￥488.320
|
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